充电器芯片阿里巴巴店铺 开关电源芯片关注摩臣5 电机驱动芯片收藏摩臣5 欢迎进入电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管、桥堆等电子元器件代理商--摩臣5平台官网
高级搜索

搜索一

搜索二

充电管理IC方案

推荐产品

联系我们

开关电源芯片
珠海市摩臣5平台科技有限公司

电话:0756-88235344

手机:19902445247

邮箱:[email protected]

地址:珠海市斗门区高新区15栋

prevnext

pfc igbt 耐压600V 30A SGT30T60SDM1P7替代STGW30M65DF2

所属分类:IGBT
品牌:士兰微
型号:SGT30T60SDM1P7
封装:T0-247-3L
功率:600V
电流:30A
订购热线:0756-88235344
  PFC IGBT是一种将MOSFET的高开关速度与双极型晶体管的低通导损结合起来的半导体器件,通过降低从主电源中提取的输入电流的谐波失真来提高交直流电源的效率,PFC IGBT 设备通常用于工业和消费电子应用中,以实现高效率和功率因数校正。
  
  SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop IlI)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,可兼容替换ST/意法STGW30M65DF2。
  
  SGT30T60SDM1P7替代STGW30M65DF2特点  
  ■ 低导通损耗  
  ■ 快开关速度  
  ■ 高输入阻抗  
  ■ 30A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=30A
  
  pfc igbt SGT30T60SDM1P7极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃)
参数 符号 参数范围 单位
集电极射极电压 VCE 600 V
栅极射极电压 VGE ±20 V
集电极电流 Tc=25℃ Ic 60 A
Tc=100℃ 30
集电极脉冲电流 IcM 90 A
二极管电流  Tc=25℃
Tc=100℃
IF 60  
30 A
短路维持时间(VGE=15V,Vcc=300V)  TSC 10 us
耗散功率(Tc=25℃) PD 230 W
工作结温范围 TJ -55~+150
贮存温度范围 Tstg -55~+150
  
  STGW30M65DF2替代料SGT30T60SDM1P7,采用 T0-247-3L封装,额定电压:650V,额定电流:30A,最大导通电压降:1.65V,电气特性与ST/意法STGW30M65DF2基本上一致,可兼容替代,具有优异的开关特性和低导通电压降,广泛应用UPS,SMPS以及PFC等领域。
摩臣5注册中心 关于摩臣5 联系我们