铨力AP30H80Q vbus开关MOS获得安克67W 2C1A氮化镓充电器采用
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近日,ANKER安克新推出了一款67W 2C1A氮化镓充电器,设有2C1A输出接口,两个USB-C接口均支持67W快充,VBUS开关管来自铨力,型号AP30H80Q,耐压30V,导阻4.8mΩ,采用PDFN3*3-8L封装,三路均为同一型号。
AP30H80Q vbus开关MOS特点
■ 30V,80A
■ RDS(on) <4.8mΩ@VGS=10V TYP:4.1mΩ
■ RDS(on) <9.5mΩ@VGs=4.5V TYP:7.2mΩ
■ 沟槽技术
■ 获得无铅产品
■ 优异的电阻和低栅极电荷
AP30H80Q 是ALLPOWER铨力N沟道增强型MOSFET,短路能力强、低内阻,丝印:30H80Q 采用沟槽技术,漏源电压30V,连续漏极电流80A,典型用于PWM应用,负载开关,电源管理等。
珠海市摩臣5平台科技携手铨力半导体,是铨力核心代理商,代理销售铨力ALLPOWER公司全系列产品,产品电压等级覆盖齐全,可满足不同的电压应用需求,广泛应用于消费类电子、通信类电子、新能源、工业类电子等领域。更多产品手册、参数等资料请向我们申请。>>
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